Đo nhiệt độ tiếp xúc khi hàn: hiệu chỉnh chỉ thị và sai lệch trao đổi nhiệt

Nhiệt độ hiển thị thuộc về đầu dò
Khi đầu dò chạm vào tấm thép nóng, nhiệt độ của đầu dò thay đổi theo trao đổi nhiệt với tấm, không khí và dây dẫn. Một máy có chứng chỉ hiệu chuẩn phù hợp vẫn có thể đọc thấp nếu tiếp xúc kém hoặc đọc quá sớm. Ngược lại, khi tấm đang nguội nhanh, đầu dò có thể giữ nhiệt và đọc cao hơn bề mặt.

Analog Devices nhấn mạnh cặp nhiệt điện phản ánh nhiệt độ của chính cảm biến; đường dẫn nhiệt qua dây và cách đặt cảm biến có thể gây sai lệch phép đo bề mặt. [1] Bài này phân tích bằng các mô hình giả định, không quy định nhiệt độ gia nhiệt trước, nhiệt độ giữa các lớp hoặc thời gian chờ của một WPS cụ thể.

Hiệu chỉnh chỉ thị không đồng nghĩa sửa mọi sai lệch
Gọi T_p là nhiệt độ thực của đầu dò, y là số chỉ của máy, cùng dùng °C. Giả định quan hệ trong một khoảng hẹp là y=a+bT_p. Hai điểm hiệu chuẩn giả định cho T_p=100°C thì y=102°C, T_p=200°C thì y=202,5°C. Từ hai phương trình suy b=1,005 và a=1,5°C.

T_p = (y−1,5)/1,005.

Khi máy chỉ 150°C, giá trị hiệu chỉnh là 147,761194°C. Nếu chỉ trừ 2°C, tức dùng độ chệch tại điểm 100°C cho toàn dải, kết quả thành 148°C. Khác biệt không lớn trong ví dụ nhưng phản ánh một giả thiết khác: hiệu chỉnh hằng số thay cho hiệu chỉnh có cả độ dốc.

Hai điểm luôn xác định được một đường thẳng, nên chưa tự kiểm được độ cong. Tại một điểm độc lập 150°C, giả sử máy chỉ 152,8°C; đường hiệu chỉnh trên trả 150,547264°C, còn dư +0,547264°C. Phần dư này cần được đánh giá theo mục tiêu phép đo; không xóa nó bằng cách thay nhãn điểm kiểm tra thành điểm hiệu chuẩn sau khi đã nhìn thấy số liệu.

NPL nêu hiện tượng cảm biến suy giảm và trôi khỏi hiệu chuẩn ban đầu, cùng nhu cầu đánh giá hoặc hiệu chuẩn lại. [2] Vì thế đường hiệu chỉnh chỉ có ý nghĩa gắn với thiết bị, cấu hình, thời điểm và điều kiện đã được xác định. Nó chưa sửa khác biệt giữa T_p và nhiệt độ bề mặt T_s.

Mô hình một nút nhiệt có hai đường trao đổi
Giả định đầu dò có nhiệt dung gộp C, J/K; tiếp xúc với bề mặt qua độ dẫn nhiệt G_c, W/K, và trao đổi với môi trường qua G_a, W/K. Bề mặt được coi là một nguồn giữ T_s cố định, môi trường ở T_a. Bỏ bức xạ phi tuyến và coi các hệ số không đổi trong khoảng xét.

C dT_p/dt = G_c(T_s−T_p)−G_a(T_p−T_a).
T_∞ = (G_cT_s+G_aT_a)/(G_c+G_a).
τ = C/(G_c+G_a).

T_∞ là nhiệt độ đầu dò khi ổn định trong mô hình, không phải nhiệt độ bề mặt. Với T_p(0)=T_0, nghiệm là T_p(t)=T_∞+(T_0−T_∞)exp(−t/τ). Khi dùng chênh nhiệt, một kelvin và một độ Celsius có cùng độ lớn; không cần đổi sang K tuyệt đối trong các chênh tuyến tính này.

Tài liệu công khai VDI/VDE 3520 mô tả riêng các ảnh hưởng tĩnh và động của đo nhiệt độ bề mặt bằng tiếp xúc, cùng thiết bị thử để xác định tính chất đo lường. [3] Các phương trình trên là mô hình phân tích của bài, không được gán thành yêu cầu hoặc công thức bắt buộc trong tiêu chuẩn đó.

Chờ lâu hơn chỉ loại phần trễ, không loại đường thất thoát
Chọn T_s=180°C, T_a=T_0=25°C, G_c=0,20 W/K, G_a=0,01 W/K và C=0,84 J/K. Tính được T_∞=172,619048°C, τ=4 s. Sau 8 s, đầu dò mới đạt 152,640982°C; sau 20 s đạt 171,624398°C.

Muốn nhiệt độ đầu dò còn cách giá trị ổn định của chính nó dưới 1 K, cần t>τln[(T_∞−T_0)/1]=19,978540 s. Nhưng dù chờ vô hạn, đầu dò vẫn thấp hơn bề mặt 7,380952 K. Không thể gọi điều kiện “đã ổn định” là bằng chứng đầu dò đã đo đúng T_s.

Nếu giảm G_a còn 0,005 W/K, giữ G_c và C, T_∞ tăng lên 176,219512°C, nhưng τ tăng thành 4,097561 s. Nếu thay vào đó tăng G_c lên 0,40 W/K và giữ G_a=0,01, cũng được T_∞=176,219512°C, trong khi τ giảm còn 2,048780 s. Hai thay đổi cho cùng độ chệch cuối nhưng đáp ứng động khác nhau.

Testo lưu ý ảnh hưởng của độ phẳng tiếp xúc, lực đặt đầu dò, chuyển động trong phép đo và khối lượng đầu dò. [4] Những yếu tố ấy có thể làm G_c hoặc C thay đổi; không nên lấy một τ đo trong điều kiện này áp cho mọi bề mặt khác. Các giá trị trong ví dụ không được chuyển thành hướng dẫn thời gian chờ chung.

Bề mặt đang nguội có thể đảo dấu sai lệch
Dựng một tình huống riêng với cùng các hệ số: lúc t=0 đầu dò đã ổn định ở 172,619048°C trên bề mặt 180°C. Sau đó bề mặt giảm tuyến tính T_s(t)=180−2t, tính bằng °C và s, trong một khoảng ngắn.

Đặt α=G_c/(G_c+G_a)=20/21. Nhiệt độ cân bằng tức thời giảm với độ dốc 2α K/s. Giải lại phương trình nhiệt được:

T_p(t) = 172,619048−2α[t−τ(1−exp(−t/τ))].

Tại 10 s, bề mặt ở 160°C nhưng đầu dò ở 160,565067°C, tức đọc cao hơn 0,565067 K. Nghiệm hai đường bằng nhau xuất hiện khoảng 8,088887 s. Trước đó đầu dò còn thấp hơn bề mặt; sau đó phần chậm đáp ứng đã vượt phần mất nhiệt ra môi trường trong ví dụ.

Không dùng kết quả này để cộng một số hiệu chỉnh cố định cho giai đoạn nguội. Phải biết lịch sử nhiệt độ và trạng thái đầu của cảm biến. Cùng một nhiệt độ bề mặt 160°C có thể cho số đo khác nếu nó đang tăng, giảm hoặc giữ ổn định.

Ảnh hưởng của đầu dò lên một vật có nhiệt dung nhỏ
Giả thiết nguồn nhiệt bề mặt vô hạn không còn tốt với một mẫu nhỏ. Xét riêng mẫu có nhiệt dung C_s=2 J/K ở 180°C, đầu dò C_p=0,84 J/K ở 25°C. Giả định hai vật trao đổi nhiệt trong hệ kín, không thất thoát và cuối cùng cùng nhiệt độ. Bảo toàn năng lượng cho:

T_eq = (C_sT_s,0+C_pT_p,0)/(C_s+C_p).

Kết quả là 134,154930°C. Đầu dò không chỉ “đọc sai” một bề mặt còn nguyên 180°C; nó đã làm thay đổi nhiệt độ đối tượng trong mô hình. Testo cũng mô tả việc đầu dò lấy hoặc truyền nhiệt cho vật đo và vai trò tỷ số khối lượng. [4] Đối với tấm lớn, truyền nhiệt từ vùng xung quanh làm bài toán phức tạp hơn; không gán toàn tấm bằng một nút nhỏ chỉ để tạo một hiệu chỉnh đơn giản.

Độ không đảm bảo khi thử hiệu chỉnh đường thất thoát
Nếu các hệ số đã được xác định đủ tốt và bề mặt thật sự ổn định, đặt r=G_a/G_c. Có thể đảo quan hệ cân bằng thành T_s=(1+r)T_p−rT_a. Với r=0,05, T_p=172,619048°C và T_a=25°C, nó trả đúng 180°C.

Giả định độc lập các độ không đảm bảo chuẩn u(T_p)=0,6 K, u(T_a)=1 K và u(r)=0,01. Lấy đạo hàm từng biến rồi cộng phương sai bậc nhất:

u²(T_s) = (1+r)²u²(T_p)+r²u²(T_a)+(T_p−T_a)²u²(r).

Kết quả u(T_s)=1,605783 K. Phần do r chiếm ưu thế dù máy đo T_p khá ổn định. Nếu r chỉ là một phỏng đoán chưa được thử nghiệm, phép hiệu chỉnh không tạo ra độ chính xác đã chứng minh. Tương quan, bức xạ, biến thiên tiếp xúc và sai mô hình còn cần xem riêng, không giấu trong nhiều chữ số thập phân.

Hồ sơ phép đo phải mô tả cả cách tiếp xúc
Một kết quả có thể kiểm lại nên gắn số chỉ thô với hiệu chỉnh, vị trí đo, trạng thái nhiệt đang tăng hay giảm, thời gian từ lúc đặt đầu dò và loại đầu dò dùng thực tế. Khi đọc nhiệt độ giữa các lượt hàn, vị trí và thời điểm phải theo hồ sơ kỹ thuật áp dụng. Việc đổi đầu dò hoặc cách kẹp có thể đổi đáp ứng dù vẫn dùng cùng máy hiển thị.

Cần giữ riêng ba câu hỏi: chỉ thị có đúng nhiệt độ đầu dò không, đầu dò có đại diện nhiệt độ tại bề mặt không, và vị trí ấy có đại diện đại lượng công nghệ cần kiểm soát không. Mô hình nhiệt và hiệu chuẩn hỗ trợ trả lời từng câu; một chứng chỉ duy nhất không tự trả lời cả ba.

Nguồn tham khảo
[1] AN-28: Thermocouple Measurement — Appendix A — Jim Williams; Analog Devices / Linear Technology. Truy cập ngày 09/11/2026.
[2] Contact thermometry — National Physical Laboratory (NPL). Truy cập ngày 09/11/2026.
[3] VDI/VDE 3520 Blatt 1 — Surface temperature measurement with contact thermometers, public abstract — VDI/VDE, March 2023. Truy cập ngày 09/11/2026.
[4] Avoiding measurement errors — tips for correct measurement — Testo. Truy cập ngày 09/11/2026.

Rà soát nội dung: 09/11/2026.
 
Top